53 ванным током базы и фиксированным напряжением. При смещении фиксированным током базы (рис.3.16,а) база транзистора соединяется с источником Е через сопротивление Rб. При отсутствии напряжения сигнала на входе (Uвх = 0) по цепи +Е Rб эмиттерный переход транзистора VT –Е протекает постоянный ток Iб0. На рис.3.16,а напряжение Е фактически приложено к делителю напряжения, состоящему из двух сопротивлений: резистора Rб и сопротивления rэ участка база–эмиттер транзистора VT. Падение напряжения на резисторе Rб: Е–Uб0 = Iб0Rб. Отсюда можно найти необходимую величину сопротивления Rб = (Е–Uб0)/Iб0. При h21э = 100 и Iк = 5мА Iб = 5мА/100 = 0.05мА = = 50 мкА. Если Е = 10 В, а Uб0 = 0,6 В, то Rб = (10В–0,6В)/50 мкА = = 188 кОм. Выбираем ближайшее значение резистора Rб = 180 кОм. На рис.3.16,б показано, как подается смещение фиксированным напряжением. В цепь источника питания Е включен делитель напряжения R1 R2. Ток делителя Iд, протекающий по цепи +Е R1 R2 -Е, создает на сопротивлении R2 необходимое падение напряжения Uб0. Сопротивления R1 R2 выбирают так, чтобы ток делителя Iд был на порядок больше тока базы Iб0. Считаем Iб0 = 50 мкА, тогда ток делителя Iд = 0,5мА, отсюда R1+R2 = Е/Iд = 10В0,5 мА = 20 кОм. Поскольку Uб0 = 0,6 В, то R2 = Uб0/Iд = 1,2 кОм и R1=18,8 кОм. Выбираем ближайшее значение резистора R1 = 18 кОм. При повышении температуры изменяется проходная характеристика транзистора, как показано на рис.3.17. При этом положение точки покоя смещается с середины его линейного участка. При неизменных значениях напряжения питания Е и напряжения смещения Uб0 с ростом температуры падает внутреннее сопротивление транзистора и растет ток коллектора с Iк0 до Iк0. Iк Увеличение тока коллектора, в свою t=40С очередь, приводит к дальнейшему I к0 разогреву транзистора и еще больше отрицательная увеличивает Iк0. Это может вывести обратная связь транзистор из строя, если мощность, Iк0 выделяемая в коллекторном перехоt=20С де, становится больше допустимой. Iк0 Для существенного ослабления влияния температурных изменений на работу схемы, применяют специальные методы температурной стаU* U U б0 б0 б билизации. На рис.3.16,в представлена схема с параллельной отрица- Рис.3.17. Температурная стабилительной обратной связью по напря- зация положения рабочей точки