57 , то зависит от частоты. При f 0 и Uвых = 0. При этом все напряжение U11 падает на конденсаторе С2. При увеличении частоты сопротивление уменьшается, увеличивается и Uвых также увеличивается. На частоте fн (нижняя граница полосы пропускания на уровне –3 дБ, см. рис.3.10,б) модуль коэффициента передачи делителя напряжения Отсюда , где н = RнС2. С этой частоты начинается область средних частот. При дальнейшем увеличении частоты потеря напряжения на конденсаторе С2 уменьшается, а Uвых растет. На какойто частоте падение напряжения на С2 становится ничтожно малым и все напряжение U11 передается на Rн без потерь. На рис.3.20 имеется еще один фильтр верхних частот RвхС1 (входное сопротивление усилителя Rвх образовано тремя параллельно включенными сопротивлениями: R1, R2 и входным сопротивлением транзистора) с вх = RвхС1. Спад усиления на нижних частотах определяет тот фильтр, у которого н меньше, а fн выше. В области средних и высоких частот емкостные сопротивления конденсаторов С1, С2 и Спит очень малы (ХС1 Rвх, ХС2 Rн, ХСпит Rн) и по переменному току Rн подключен параллельно Rк. В этом случае эквивалентная нагрузка усилителя . Кроме того, параллельно с Rэкв включена суммарная паразитная емкость Сп = Сэк+См+Сн. На средних частотах сопротивление паразитной емкости ХСп Rэкв и сопротивлением нагрузки является Rэкв. На достаточно высоких частотах емкостное сопротивление ХСп становится сравнимым с Rэкв. Сопротивление нагрузки транзистора при этом уменьшается, что приводит к уменьшению Uвых и коэффициента усиления KU. Паразитная емкость Сбк на высоких частотах передает часть выходного сигнала обратно на вход усилителя. Выходной сигнал в схеме с ОЭ изменяется в противофазе с изменением входного сигнала, таким образом, возникает параллельная отрицательная обратная связь по напряжению, которая дополнительно уменьшает коэффициент усиления каскада на высоких частотах. Поэтому схема с ОЭ имеет более узкую полосу пропускания в области верхних частот, по сравнению со схемами ОБ и ОК.