58 Для увеличения верхней границы полосы пропускания необходимо уменьшать величину Rн, что сопровождается уменьшением коэффициента усиления напряжения. 3.5.4. Резонансный усилитель с общим эмиттером Схема резонансного усилителя с ОЭ показана на рис.3.21. Нагрузкой каскада является параллельный LC-контур. Следует иметь в виду, что параллельно контуру включены также паразитные емкости: Св – межвитковая емкость катушки, См – емкость монтажа, Скэ – выходная емкость транзистора и Сн – паразитная емкость нагрузки. По этому общая емкость контура С = Ск+Св+См+Скэ+Сн. Импеданс контура Z имеет максимум на резонансной частоте f0. На рис.3.22 изображены резонансные кривые двух контуров, имеющих различные добротности Q. На резонансной частоте сопротивление контура является чисто активным. Поскольку коэффициент усиления каскада пропорционален сопротивлению его нагрузки, то амплитудно-частотная характеристика резонансного усилителя повторяет форму резонансной кривой контура (рис.3.10,а). Z R1 С1 Ск Спит L Q1 VT + С2 Rн Uвх R2 Rэ Q1Q2 Uвых – Е Q2 Сэ f0 f 0 Рис.3.22. Резонансные кривые Рис.3.21. Схема резонансного усили- контуров с различной доброттеля с общим эмиттером ностью 3.6. Усилитель с общим коллектором Принципиальная схема усилительного каскада с общим коллектором (ОК) приведена на рис.3.23. Для упрощения рассуждений будем считать, что напряжение питания Е = 10 В. Входной сигнал подается на базу транзистора, а выходной – снимается с эмиттера. В режиме покоя постоянное напряжение на эмиттере Uэ0 = Iэ0Rэ устанавливается примерно равным половине напряжения питания Е = 10 В, т.е. 5 В. При этом напряжение покоя на базе транзистора Uбэ = UбUэ 0,6 В