68 (на истоке “”, на затворе “”), образует изолирующий обедненный слой, который, распространяясь в проводящий канал, эффективно ограничивает его размеры. Увеличение отрицательного напряжения Uзи (затвористок) вызывает дальнейшее сужение канала и уменьшает его проводимость. Уменьшение отрицательного напряжения Uзи, наоборот, приводит к расширению канала и увеличивает его проводимость. При определенном значении напряжения на затворе, называемом напряжением отсечки, проводимость канала в идеальном случае уменьшается до нуля. Нормальная работа ПТ с каналом p-типа обеспечивается подачей положительного смещения на затвор. Полевой транзистор работоспособен, если при включении в электрическую цепь поменять местами электроды истока и стока. Максимальный ток стока и максимальная крутизна у ПТ с управляющим р–n-переходом (как с каналом p-типа, так и с каналом n-типа) наблюдается при нулевом смещении на затворе. При подаче прямого смещения на затвор ПТ появляется прямой ток через участок затвор– исток и резко уменьшается входное сопротивление транзистора. На сток ПТ с каналом n-типа необходимо подавать напряжение положительной полярности, а с каналом p-типа – отрицательной полярности относительно истока. Условное графическое обозначение полевых транзисторов с управляющим p–n-переходом и каналом n- и p-типа показано на рис.4.2. с з с з и а и Рис.4.2. Условное обозначение полевого транзистора с управляющим p–n-переходом и каналом: а – n-типа; б – p-типа б 4.2. Основные параметры полевого транзистора Ток насыщения Iс0 – ток в цепи стока транзистора, включенного по схеме с общим истоком, при затворе накоротко замкнутым с истоком (т.е. при Uзи = 0). Ток стока в рабочей точке можно определить по формуле 2 Iс = Iс0(1 Uзи Uотс) , (4.1) где Uотс – напряжение отсечки.