69 Уравнение (4.1) является приближенным для характеристики передачи любого полевого транзистора (особенно с малыми напряжениями отсечки). Напряжение отсечки Uотс – один из основных параметров, характеризующих ПТ. При напряжении на затворе, численно равным напряжению отсечки, практически полностью перекрывается канал полевого транзистора, и ток стока при этом стремится к нулю. В справочных данных на ПТ всегда указывается, при каком значении тока стока произведены измерения напряжения отсечки. Так, например, для транзисторов КП307Е напряжения Uотс = 0,5 2,5 В получены при токе стока 0,01 мА. Крутизна проходной характеристики. Входное сопротивление полевых транзисторов со стороны управляющего электрода составляет 7 9 10 10 Ом. Так как входные токи ПТ чрезвычайно малы, то управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением. Поэтому усилительные свойства полевого транзистора целесообразно характеризовать крутизной проходной характеристики. Крутизна проходной характеристики полевых транзисторов S = Iс Uзи при Uис = const. Максимальное значение крутизны проходной характеристики Sмакс достигается при Uзи = 0. При этом численное значение Sмакс равно проводимости канала ПТ при нулевых смещениях на его электродах. Крутизна проходной характеристики полевых транзисторов на 12 порядка меньше, чем у биполярных транзисторов, поэтому при малых сопротивлениях нагрузки коэффициент усиления каскада на ПТ меньше коэффициента усиления аналогичного каскада на биполярном транзисторе. В большинстве случаев крутизну проходной характеристики полевых транзисторов можно считать частотно-независимым параметром. Поэтому быстродействие электронных схем на ПТ ограничено в основном паразитными параметрами схемы. Выражение для крутизны проходной характеристики в рабочей точке ПТ получим, используя (4.1): 2 S = Sмакс (1UзиUотс) , (4.2) где Uзи – напряжение затвор–исток, при котором вычисляется S; Sмакс = 2(Ic0Uотс). (4.3) Соотношение (4.3) позволяет по двум известным параметрам рассчитать третий. Для большинства маломощных ПТ S лежит в пределах 210 мА/В. Для мощных ПТ – до 1 А/В (1000 мА/В).