70 Напряжение пробоя. Механизм пробоя полевого транзистора можно объяснить возникновением лавинного процесса в переходе затвор–канал. Обратное напряжение диода затвор–канал изменяется вдоль длины затвора, достигая максимального значения у стокового конца канала. Именно здесь происходит пробой полевого транзистора. Лавинный пробой (если он не перешел в тепловой пробой) не приводит к выходу из строя ПТ с управляющим p–n-переходом. После пробоя при возвращении в нормальный рабочий режим эти транзисторы восстанавливают свою работоспособность. Динамическое сопротивление канала rк определяется выражением rк = UсиIс при Uзи = соnst. Это сопротивление при Uси = 0 и произвольном смещении Uзи можно выразить через параметры транзистора При малом напряжении исток–сток вблизи начала координат выходной характеристики ПТ ведет себя как переменное омическое сопротивление, зависящее от напряжения на затворе. Минимальное значение сопротивления канала rк0 наблюдается при Uзи = 0. При увеличении обратного напряжения на затворе сопротивление канала нелинейно увеличивается. Значение rк0 определяется по стоковой характеристике транзистора как тангенс угла наклона касательной к кривой Iс = f(Uси) при Uзи = 0 в точке Ucи = 0. Для приближенных расчетов имеет место простое соотношение rк0 1 Sмакс. (4.5) 4.2.1. Вольт-амперные характеристики полевых транзисторов Основными вольт-амперными характеристиками полевого транзистора являются входная, выходная и проходная характеристики, представленные на рис.4.3. Входная характеристика – зависимость тока затвора Iз от напряжения между затвором и истоком Uзи – приведена на рис.4.3,а. Она представляет собой обычную вольт-амперную характеристику полупроводникового диода и практически не зависит от напряжения исток–сток Uси. Обычно полевой транзистор работает при закрытом p–n-переходе, поэтому ток затвора очень мал. Семейство выходных характеристик – зависимость тока стока Iс от напряжения исток–сток Uси при различных напряжениях на затворе Uзи – показано на рис.4.3,б. На рисунке выделено три области: 1 – крутая область; 2 – пологая или область насыщения; 3 – область электрического пробоя. Нормальная работа полевого транзистора как усили-