71 1 Iс Iз 2 Uзи=0 А Iс0 3 Uзи10 рабочая область ПТ Uзи2Uзи1 Uзи3Uзи2 −Uотс 0 Uзи а 0 Iс линейный участок Iс 0 область насыщения область отсечки Uотс 0 Uзи Uси нас Uси нас1 Uси нас2 Uси нас3 Uси пробоя Uси б Рис.4.3. Вольт-амперные характеристики полевого транзистора с управляющим p–n-переходом: а – входная; б – выходная. Цифрами отмечены: 1 – крутая область; 2 – пологая (область насыщения); 3 – область пробоя; в - проходная в теля мощности осуществляется в области насыщения. При этом линейному увеличению напряжения на затворе Uзи соответствует линейное увеличение тока стока Iс. Зависимость Iс = f(Uзи) при фиксированном напряжении исток–сток Uс называется проходной характеристикой транзистора. Одна из таких зависимостей приведена на рис.4.3,в. На ней можно выделить линейный участок и два нелинейных. Первый нелинейный участок (область отсечки) наблюдается при напряжениях порядка напряжения отсечки Uотс. Канал ПТ закрыт, и ток стока мал. Второй нелинейный участок (область насыщения) возникает при подаче открывающего напряжения на затвор транзистора. При этом по каналу течет большой ток Iс0. В этом режиме вольт-амперные характеристики ПТ обычно не снимаются, а на рисунке область насыщения нанесена точками. 4.2.2. Частотные свойства полевых транзисторов Частотные свойства полевых транзисторов находятся в прямой зависимости от времени пролета носителей заряда вдоль канала, т.е. от длины проводящего канала и скорости носителей. Современные технологии позволяют изготавливать ПТ с очень малой длиной канала, достигающей нескольких микрометров, а в составе интегральных мик-