72 росхем – нескольких десятков нанометров. Подвижность электронов выше подвижности дырок, поэтому высокочастотные ПТ обычно выполняют с каналом n-типа. Скорость носителей тока увеличивается при увеличении напряженности поля в канале, однако при напряженности поля больше некоторого значения наступает насыщение скорости. Частотные свойства ПТ зависят также от межэлектродных емкостей транзистора Сзи (затвористок), Сзс (затворсток), Сси (стокисток) и сопротивления канала. Изготавливаемые в настоящее время высокочастотные ПТ работают до частот порядка ГГц, а в составе интегральных микросхем – десятков ГГц. Для низкочастотных ПТ ограничения частотного диапазона обычно связаны с входной емкостью затвора Сзи, составляющей единицы – десятки пикофарад. 4.3. Усилители на полевых транзисторах Общие сведения об электронных усилителях и их основные характеристики подробно описаны в 3.3.1 и 3.3.2. 4.3.1. Усилитель с общим истоком В усилителях входной и выходной сигналы обычно имеют один общий провод, соединенный с землей. В зависимости от того, какой электрод полевого транзистора подключен к этому проводу, различают три схемы включения: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ). Трем возможным схемам включения транзисторов соответствуют три основных типа усилительных каскадов: с общим истоком, общим стоком и общим затвором. На рис.4.4. приведена схема с общим истоком. Это наиболее часто используемая схема включения полевого транзистора, которая характеризуется высоким входным сопротивлением, высоким выходным сопротивлением, схема усиливает ток и напряжение и, как следствие, обладает большим коэффициентом усиления мощности. Фаза выходIс Спит Rс VT С1 Uвых С3 Uвх + t + Rз t Rи С2 − Е Рис.4.4. Схема усилительного каскада с общим истоком