76 Полевой транзистор Ср1 затвор Iс1=SUзи сток Ср2 + Rз1 rг Ег Uвх1 Uзи Свх Ri Сси Rс1 Cм Rз2 Сзи SUзи Uвых1 исток Рис.4.8. Полная эквивалентная схема каскада с общим истоком ля, изображенного на рис.4.7. На схеме (рис.4.8) полевой транзистор заменен эквивалентным генератором тока (Iс1 = SUзи) с внутренним сопротивлением Ri. Здесь S – крутизна проходной (стоко-затворной) характеристики ПТ. Сопротивление нагрузки Rс1 одним выводом соединено со стоком, а другим – с истоком через большую емкость Спит, подключенную параллельно источнику питания Е. Параллельно Rс включена выходная паразитная емкость полевого транзистора сток– исток Сси. Выходное напряжение с Rс1 через разделительную емкость Ср2 подается на сопротивление Rз2 – входное сопротивление второго каскада. Если второго каскада нет, то вместо Rз2 на эквивалентной схеме следует изобразить Rн (сопротивление нагрузки). Параллельно Rз2 включены паразитные емкости См и Сзи. Для понимания процессов, происходящих в схеме, необходимо знать порядки величин сопротивлений и емкостей усилителя. Обычно Ri равняется нескольким сотням кОм, Rс1 – нескольким единицам или десяткам кОм, Rн должно быть того же порядка величины, что и Rс1, или больше (например, это может быть входное сопротивление второго каскада Rз2). Rз1 Rз2 0,51,0 МОм, Ср1 Ср2 0,010,1 мкФ, Сзи 10 пФ, Сзс 3 пФ и Сси 1 пФ, См 2 пФ. На нижних частотах сопротивления паразитных емкостей , и , поэтому их можно не учитывать. Эквивалентная схема для нижних частот приведена на рис.4.9. Эквивалентный генератор тока вырабатывает ток Iс1 = SUвх1, который создает напряжение U11 SU вх1Z11 Комплексное сопротивление Z11 образуется параллельным соединением сопротивлений Ri, Rс1 и (Rз2+ ). При Rз2 Rс1 можно считать, пренебрегая током через цепочку (Rз2+ X ), что , а U11 = Iс1R11 = −SUвх1R11. Это Cр 2