26 nв nа падающая волна Епад=Е0sinωt 1-ая отраженная волна Еотр1= R1Е0sinωt прошедшая волна nпл 2-ая отраженная волна, прошедшая через просветляющее покрытие 2-ая отраженная волна Рис. 20. Принцип действия просветляющего покрытия R1Е0 = (1−R1)R2Е0, интерферирующие волны гасят друг друга, а волна, прошедшая в воздух, усиливается. Показатель преломления материала пленки подбирают так, чтобы получить коэффициенты отражения и , обеспечивающие равенство амплитуд отраженных волн. Использование просветляющего покрытия позволяет уменьшить коэффициент отражения от сколотой поверхности кристалла GaAs (nа = 6,1) с 37%, что характерно для полупроводникового лазера, до 1% в СЛД. 4.6. Основные характеристики передающего оптоэлектронного модуля с cуперлюминесцентным диодом DL-CS5103A Габаритные размеры и схема включения элементов передающего оптоэлектронного модуля с cуперлюминесцентным диодом DL-CS5103A приведены на рис. 21. Он состоит из корпуса с размещенными в нем суперлюминесцентным диодом, микрохолодильником и терморезистором. Вывод оптического излучения происходит через одномодовое оптическое волокно с диаметром сердцевины 10 мкм. Диаметры оболочки, защитного покрытия и наружной изоляции составляют 125, 245 и 900 мкм соответственно. Длина оптического волокна – 1 м, диаметр его