home

Квантовая и полупроводниковая электроника: курс лекций

?
10

Число фотонов света, входящих в полупроводник в единицу
времени, не учитывая отражение света от поверхности, определяется как N = Фλ/hν.
Число пар свободных носителей заряда (электронов и дырок), возникающих (генерируемых) в единице объёма полупроводника под действием света в единицу времени равно:

Ф
 dnФ 
 dpФ 

 
  kN  k
,
h
 dt  ген  dt  ген

(1.7)

где k – коэффициент поглощения света в полупроводнике. Коэффициент β называют квантовым выходом, который определяет число пар носителей заряда, образуемых одним поглощённым
фотоном. Обычно β ≤ 1.
Одновременно с генерацией неравновесных носителей заряда идёт процесс их рекомбинации. В собственном полупроводнике с малой концентрацией равновесных носителей заряда
n0 = p0