home

Квантовая и полупроводниковая электроника: курс лекций

?
11

Генерация неравновесных носителей заряда под действием
света приводит к увеличению удельной электропроводности
полупроводника
σс = σт + σф,
где σт = q(n0μn + p0μp) – темновая проводимость (в отсутствие
светового потока), σф = q(nфμn + pфμp) – фотопроводимость полу2
проводника, q – элементарный заряд, μn и μp (м /В∙с) – величины
подвижности соответственно электронов и дырок.
В общем случае можно считать, что фотопроводимость
(1.11)
 Ф  g Ф ,
где g – постоянный коэффициент, зависящий от материала полупроводника.
Спектральная зависимость фотопроводимости
Спектральная зависимость фотопроводимости определяется спектром поглощения полупроводника. Область собственного поглощения имеет длинноволновую (красную) границу, соответствующую длине волны света λпорог = hc/ΔW (рис. 1.6).
С ростом энергии фотонов фотопроводимость быстро увеличивается, достигает максимума, а затем уменьшается (синяя
σф/σф max
1,0
1

2

0,5

0

0,4

0,8

1,2

1,6

2,0 λ, мкм

Рис.1.6. Нормированная спектральная характеристика фотопроводимости: 1 – германия, 2 – кремния