home

Квантовая и полупроводниковая электроника: курс лекций

?
24
база
p-типа

эмиттер
+
n -типа

p–n-переход

np

InE

Wc
nn
WF
Wv


U

W

pp

+
Ψ=q (0+U)

IpЕ

pn

dобр
Рис.1.15. Зонная диаграмма обратносмещённого p–n-перехода

закрыт для основных носителей и открыт для неосновных. Через
него течёт малый обратный ток I0 = InE + IрE. Проводимость p–nперехода близка к нулю.
Время жизни неосновных носителей τp или τn мало и до p–
n-перехода могут диффундировать неосновные носители, возникшие в n- и p-областях на расстоянии, не превышающем соответствующей диффузионной длины Lp или Ln. Остальные неосновные носители, не успевшие дойти до перехода, рекомбинируют в объёме полупроводника. Поэтому обратный ток не
зависит от напряжения смещения. Обратный ток через p–nпереход называют током насыщения или тепловым током
I0 = j0S,
(1.22)
где

– плотность тока насыщения, S – площадь p–n-перехода.
При увеличении температуры полупроводника плотность
тока насыщения увеличивается, так как с температурой экспоненциально растет концентрация собственных носителей заряда
(1.1, 1.2).