home

Квантовая и полупроводниковая электроника: курс лекций

?
26

током насыщения обратносмещённого перехода. При увеличении температуры обратный ток возрастает за счёт экспоненциального роста числа генерируемых пар электрон-дырка. Величина обратного тока I0 меньше у полупроводников с широкой
запрещённой зоной (1.1, 1.2).
Один из важных параметров прямой ветви ВАХ – дифференциальное сопротивление p–n-перехода. Дифференцированием формулы (1.24) можно получить
Типичная величина rp–n ≈ 25 Ом при токе I = 1 мА.
1.1.5. Фотодиоды, фототранзисторы
Воздействие света на p–n-переход
Зонная диаграмма освещённого p–n-перехода приведена на
рис.1.17.
Пусть на поверхность полупроводника нормально к плоскости р–n-перехода падает монохроматический поток света Фλ
2
(Дж/с·м ) с длиной волны λ ≤ hc/ΔW. Число квантов света, вхобаза
p-типа

Фλ

эмиттер
+
n -типа

p–n-переход

nn

np
Wc

q(φ0–φф)

WF
W

Wv
pp

pn

l
Ln

InDф+IpDф

dобр

Lp
Iф
InE+IpE

Рис.1.17. Зонная диаграмма освещённого p–n-перехода