51 полуволны на базу транзистора подается положительный потенциал “+” относительно эмиттера. При этом эмиттерный p–n-переход открывается и его сопротивление уменьшается, через сопротивление нагрузки Rк протекает коллекторный ток и величина выходного напряжения Uвых = Е− IкRк. Во время отрицательного полупериода входного напряжения (на базе “–” относительно эмиттера) переход эмиттер–база закрывается и его сопротивление увеличивается, ток коллектора отсутствует, а напряжение на выходе равно напряжению источника питания E. Далее весь процесс повторяется. На рис.3.14,г видно, что выходное напряжение усилителя состоит только из отрицательных полупериодов синусоидального сигнала, т.е. имеются большие нелинейные искажения. На рис.3.15 представлена схема усилителя с ОЭ, которая отличается от схемы рис.3.14 тем, что p–n-переход эмиттер–база кремниевого транзистора смещен в прямом направлении с помощью второго источника питания Eсм 0,6 В. На рис.3.15,б показано напряжение Uвх, приложенное ко входу усилителя. Причем до момента времени t0 подано только напряжение смещения Есм, а начиная с момента t0 – напряжение смещения и напряжение с генератора. На рис.3.15,в и г изображены временные диаграммы тока Iк и напряжения Uвых = Е−IкRк. До момента Uвх=Uэб Rк Есм Iк VT Iб + Uвых=Е−IкRк Iк t0 б t – Е Iк0 U + вх Iэ=Iб+Iк Есм – a Рис.3.15. Усилитель с ОЭ со смещением эмиттерного перехода: а – схема; временные диаграммы: б – входного напряжения, в – тока коллектора, в – выходного напряжения t0 Uвых=IкRк Е в t г t Uк0 0 t0