79 эквивалентная схема для верхних частот содержит дополнительную паразитную емкость Сп = Сси+См+Сзи (рис.4.12). В области верхних частот при увеличении частоты влияние (шунтирующее действие) Сп увеличивается, при этом полное сопротивление нагрузки Z н уменьшается, а проводимость нагрузки увеличивается. Коэффициент усиления на верхних частотах . ; здесь Вещественная часть проводимости , т.к. Rс1 Ri и Rс1 практически равна Rз2. Таким образом, в области верхних частот динамический коэффициент усиления каскада падает, Uвых при этом уменьшается, что и определяет завал АЧХ усилителя в области верхних частот. На частоте fв (верхняя граница полосы пропускания на уровне – 3дБ, рис.3.10,б) модуль коэффициента усиления каскада уменьшается в , что выполняется при , где в = ωвСпRэн = 1. С учетом в = 2fв получим СпRэн, или приближенно (Rэн Rс1) в = СпRс1 и . Из эквивалентной схемы рис.4.12 следует, что для увеличения верхней границы полосы пропускания необходимо уменьшать величину Rэ, т.е. Rс1. 4.3.3. Резонансный усилитель Схема резонансного усилителя на полевом транзисторе показана на рис.4.13. Нагрузкой каскада является параллельный LC-контур. Следует иметь в виду, что параллельно контуру включены также паразитные емкости Сси+См+Сн (Сн – паразитная емкость нагрузки). ПоэтоСпит L С Q1 Ср Rн Uвых Uвх R з Z Rи Е + Си Рис.4.13. Схема резонансного усилительного каскада Q1Q2 Q2 f0 0 f Рис.4.14. Резонансные кривые контуров с различной добротностью