32 зависимостей: мощности излучения, центральной длины волны и ширины полосы излучения от тока накачки. 11. Сравнить полученные результаты с паспортными данными СЛД. 6. Контрольные вопросы 1. Определение лазера. Схема и основные элементы его конструкции. 2. Заселенность энергетических уровней: нормальная и инверсная. 3. Прямые и непрямые межзонные переходы. 4. Материалы для изготовления оптоэлектронных приборов светодиодов и полупроводниковых инжекционных лазеров. 5. Конструкция и принцип действия светодиода на основе гетероперехода. 6. Конструкция и принцип работы полупроводникового инжекционного лазера. 7. Основные характеристики лазерного излучения. 8. Конструкция и принцип работы полупроводникового суперлюминемцентного диода. 9. Отличие конструкции и основных характеристик СЛД от светодиодов и инжекционных полупроводниковых лазеров. 10. Конструкции передающих оптоэлектронных СЛДмодулей. 11. Для чего внутри СЛД-модуля устанавливается элемент Пельтье и термистор? 12. В каких устройствах применяют суперлюминисцентные диоды? В чем их преимущества? 13. Объясните полученные результаты. 7. Список литературы 1. Оптическая и квантовая электроника: учеб. пособие / В.И. Светцов; Иван. гос. хим.-техн. ун-т, Иваново: 2004. 122 с. 2. Сивухин Д. В. Общий курс физики. Том 4. Оптика. М.: Наука, 1985. 792 с. 3. Качмарек Ф. Введение в физику лазеров. М.: Мир, 1981. 540 с.