СТРУКТУРНЫЕ СВОЙСТВА ОКСИДА КРЕМНИЯ, ПОЛУЧЕННОГО МЕТОДОМ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ИЗ ГАЗОВОЙ ФАЗЫ * Н.В. КИРОВА , Д.И. СИДОРОВ ** * Пермский государственный национальный исследовательский университет, 614990, Пермь, Букирева, 15 ** Пермский национальный исследовательский политехнический университет, 614990, Пермь, Комсомольский проспект, 29 Оксид кремния является одним из ключевых диэлектрических материалов современной электроники. В микроэлектронной технологии тонкие пленки оксида кремния используются для формирования слоев различного функционального назначения. Применение находит как стехиометрический (SiO2), так и нестехиометрический (SiOx