СОЗДАНИЕ ВОЛНОВОДОВ В КРИСТАЛЛАХ И СТЕКЛАХ ПУЧКОМ ИОНОВ Ю. В. Гурова Пермский государственный национальный исследовательский университет, 614990, Пермь, Букирева, 15 Оптический волновод – это базовый элемент интегральных фотонных систем, который определяется как среда с высоким показателем преломления, окруженная областями с низким показателем преломления. ОВ могут ограничивать распространение света в малых объемах в одном или двух измерениях, то есть линейная конфигурация для одномерного измерения и канальная геометрия для двумерного. Преимущество структуры волноводов – малый размер, который позволяет производить компактные оптические схемы или чипы для легкого совмещения с другими фотонными компонентами. Рассмотрим текущий прогресс в обработке ионными лучами кристаллов ниобата. Энергетический ионный луч влияет на свойства твердого материала при помощи различных типов взаимодействий ион-поверхность: • ионно-лучевое травление; • ионная имплантация; • облучение быстрыми ионами; • направленные пучки ионов; • усиленное ионно-лучевое травление. Ионно-лучевое травление Фрезерованием ионными лучами можно удалять выбранные области поверхности кристалла при помощи эффекта распыления. Оно широко применяется для микро и наноструктурирования поверхности кристалла ниобата лития. Типичный диапазон энергий – 500-2000 эВ. Большая часть кинетической энергии падающих ионов передаётся атомам образца, что приводит к смещению атомов в поверхностном слое, оставляя поверхность в беспорядочном состоянии для последующего удаления уровень за уровнем. Процесс распыления происходит, когда энергия, передающаяся атомам образца, превосходит энергию их связи в решётке. Ионно-лучевое травление широко используется в производстве полупроводниковых устройств, а также для конфигурации многих непроводящих оптических материалов, включая кристаллы ниобата лития. Ионная имплантация Ионы с энергиями выше 100 кэВ вероятнее внедрятся в субстрат, нежели разрушат поверхность. Внедрители, тандемные ускорители и прочие устройства используются для генерации пучков легких и тяжёлых ионов. Глубина внедрения определяется массой иона, его энергией и материалом субстрата. Высокие дозы легких ионов, обычно водорода или гелия, создают повреждённый уровень на некоторой глубине кристалла LN. 14