ВЛИЯНИЕ ПРЕДОТЖИГА ПЛАСТИН НИОБАТА ЛИТИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ПРОТОНООБМЕННЫХ ВОЛНОВОДОВ В. А. Юрьев, А. Б. Волынцев Пермский государственный национальный исследовательский университет, 614990, Пермь, Букирева, 15 Рассмотрены причины формирования приповерхностного дефектного слоя в пластинах ниобата лития и его влияние на характеристики планарных волноводов. Предложены способы понижения плотности дефектов и методы исследования структуры волновода. Выявлено, что исследуемые характеристики образцов зависят от температуры предварительного отжига. Показан аналогичный характер температурной зависимости изменения величины деформации приповерхностного слоя и приращения показателя преломления необыкновенного луча. Ключевые слова: ниобат лития; протонообменные волноводы; предварительный отжиг; модовая спектроскопия; рентгеноструктурный анализ EFFECTS OF PRELIMINARY ANNEALING OF LITHIUM NIOBATE WAFERS ON PROTON-EXCHANGED WAVEGUIDES PROPERTIES V. A. Yur'ev, A. B. Volyntsev Perm State University, Bukireva St. 15, 614990, Perm This papers shows the reasons for formation of sub-surface defect layer in lithium niobate wafers and it`s effect on properties of planar waveguides. Possible methods of lowering the defects concentration are reviewed, as well as some measuring techniques. All measured parameters show dependency from pre-annealing temperature. Also revealed correlation between residual stress in wafer surface and refractive index of extraordinary ray. Keywords: lithium niobate; proton-exchanged waveguides; preliminary annealing; mode spectroscopy; x-ray diffraction analysis В настоящее время ниобат лития является одним из самых часто применяемых материалов для создания интегрально-оптических схем и элементов. Показано [1, 2], что в процессе производства пластин НЛ происходит формирование области с повышенной, по отношению к остальному объёму кристалла, плотностью дислокаций. Данную область называют приповерхностным дефектным слоем. В случае, когда волновод частично или полностью находится в дефектном слое, повышенная плотность дислокаций может повлиять на процессы обмена, приводя к неоднородности структуры волновода. Это влечёт за собой отсутствие воспроизводимости результатов работы интегрально-оптической схемы, что является недопустимым в массовом производстве. 53