home

Квантовая и полупроводниковая электроника: курс лекций

?
25

Вольт-амперная характеристика p–n-перехода
Сила тока через p–n-переход описывается выражением
где j0 – плотность тока насыщения (1.23), т - температурный
потенциал (1.21), S – площадь p–n-перехода, U – напряжение,
приложенное к переходу.
ВАХ I(U) p–n-перехода показана на рис.1.16. При U = 0
ток через переход I = 0. При приложении прямого напряжения
(“плюсом” к р-базе, “минусом” к n-эмиттеру) уменьшается разность потенциалов в переходе  = 0 – U и возникает инжекция
электронов в базу. В случае прямого напряжения U > T единицей в формуле (1.24) можно пренебречь и зависимость I(U) будет иметь экспоненциальный характер. При дальнейшем увеличении U напряжение на p–n-переходе стремится к величине контактной разности потенциалов 0, а остальное напряжение падает на металлических контактах и р- и n-областях (в основном на
высокоомной области базы):
U ≈ 0 + I∙rб.
I

(1.25)
Irб

0

0

U

I0
Рис.1.16. Вольт-амперная характеристика p–n-перехода

При достаточно большом значении обратного напряжения
|−U| > 3φт обратный ток через p–n-переход равен I0 = −j0S и
практически не зависит от напряжения. Величина I0 называется