25 Вольт-амперная характеристика p–n-перехода Сила тока через p–n-переход описывается выражением где j0 – плотность тока насыщения (1.23), т - температурный потенциал (1.21), S – площадь p–n-перехода, U – напряжение, приложенное к переходу. ВАХ I(U) p–n-перехода показана на рис.1.16. При U = 0 ток через переход I = 0. При приложении прямого напряжения (“плюсом” к р-базе, “минусом” к n-эмиттеру) уменьшается разность потенциалов в переходе = 0 – U и возникает инжекция электронов в базу. В случае прямого напряжения U > T единицей в формуле (1.24) можно пренебречь и зависимость I(U) будет иметь экспоненциальный характер. При дальнейшем увеличении U напряжение на p–n-переходе стремится к величине контактной разности потенциалов 0, а остальное напряжение падает на металлических контактах и р- и n-областях (в основном на высокоомной области базы): U ≈ 0 + I∙rб. I (1.25) Irб 0 0 U I0 Рис.1.16. Вольт-амперная характеристика p–n-перехода При достаточно большом значении обратного напряжения |−U| > 3φт обратный ток через p–n-переход равен I0 = −j0S и практически не зависит от напряжения. Величина I0 называется