27 дящего в полупроводник в единицу времени, N = Фλ/hν. При поглощении квантов света в полупроводнике образуются новые (неравновесные (*)) носители заряда – пары электрон–дырка. Неосновные неравновесные носители (свободные электроны в р-базе и дырки в n-эмиттере), возникшие в прилегающих к p–n-переходу областях, не превышающих средней диффузионной длины Ln для электронов и Lр для дырок (**), диффундируют к p–n-переходу и проходят через него под действием электрического поля . При этом возрастает дрейфовый ток через р–n-переход (InE+IpE) на величину Iф. Величина фототока Iф пропорциональна числу квантов света, поглощённых в слое L = Ln + d + Lр (рис.1.16): Iф = qβkχSLN = qβkχSLФλ/hν = KλФλ, (1.27) где β – квантовый выход, k – коэффициент поглощения света, χ – коэффициент переноса, в котором учитывается доля нерекомбинировавших носителей заряда в общем количестве носителей, возникших под действием света, S – площадь p–nперехода. Таким образом, освещение полупроводника вызывает нарушение термодинамического равновесия. Фототок Iф, возникший в результате световой генерации пар электрон-дырка, приводит к увеличению числа основных носителей заряда в n- и робластях полупроводника, что уменьшает общую разность потенциалов p–n-перехода φ = φ0–φф и величину потенциального барьера qφ = q(φ0–φф) для основных носителей. Вследствие этого возрастает диффузионный ток основных носителей InDф и IpDф (рис.1.17, пунктирная стрелка). В стационарном состоянии потоки зарядов через p–nпереход в обоих направлениях уравновешивают друг друга: –Iф–InE–IpE+InDф+IpDф = 0. (1.28) Между р- и n-областями полупроводника устанавливается разность потенциалов – фото ЭДС φф. (*) Равновесными называют носители, образовавшиеся в процессе тепловой генерации. Процессы тепловой генерации и рекомбинации уравновешивают друг друга. Установившаяся концентрация носителей называется равновесной. Концентрация, превышающая равновесную, называется неравновесной, а дополнительно возникшие носители заряда – неравновесными носителями.