81 В прямосмещённом гетеропереходе (рис.2.6) при высоком уровне инжекции электронов дырочный ток практически равен нулю и γn = 1. В базе вблизи гетероперехода создастся большая (по сравнению с гомопереходом) инверсная заселённость энергетических уровней, и квантовый выход инжекционной электролюминесценции увеличивается. Поэтому в современных светодиодах, как правило, используются гетеропереходы. база, p-типа p–n-переход + эмиттер n -типа nn барьер для электронов Ψn−qU np Wcр WF Wvр hν hν pр барьер для дырок Ψp−qU – U + pn dпр Рис. 2.6. Зонная диаграмма прямосмещённого p–n-гетероперехода Материалы гетероструктур Для создания гетероструктур используют кристаллы двойных, тройных и более сложных соединений. Нитриды элементов третьей группы: GaN, AlN, InN – и твёрдые растворы на их основе являются широкозонными полупроводниками с прямыми оптическими переходами. Твёрдым раствором называют кристалл, в котором атомы одного элемента частично замещены на атомы другого элемента, например InxGa1-xN. Твёрдые растворы имеют идентичную кристаллическую структуру и близкие периоды решёток. Варьируя состав, можно получать полупроводники с различной шириной запрещённой зоны.
