82 Гетероструктура In0,06Ga0,94N/GaN используется в синих светодиодах. Гетероструктура In0,2Ga0,8N/GaN – в зелёных светодиодах. На основе AlxInyGa1-x-yP/GaP создают светодиоды жёлтого и красного света. В инфракрасных светодиодах (λ = 1,0÷1,3 мкм) используется твёрдый раствор GaxIn1-xAsyP1-y. Особенности светодиодов на основе этих гетероструктур: 1) высокая интенсивность люминесценции, достигающая 2÷3 кд; 2) высокое значение квантового выхода η = 5,4 %; 3) перекрывание спектрами люминесценции всей области видимого спектра. 2.1.5. Инжекционный светодиод на основе многослойных гетероструктур Современные инжекционные оптоэлектронные полупроводниковые приборы создаются на основе многослойных гетероструктур, в которых между широкозонными полупроводниками p- и n-типа имеется тонкий слой узкозонного собственного полупроводника (полупроводника i-типа). Область полупроводника i-типа является активной средой – потенциальной ямой, в которой накапливаются электроны и дырки при прямом смещении p–i–n-перехода. При высоком уровне инжекции их концентрация в i-слое становится на несколько порядков (четыре и более) выше равновесной, что приводит к их интенсивной рекомбинации. Гетероструктуры создают методами эпитаксиального наращивания слоёв на кристаллических подложках. Типовая структура светодиода с генерацией излучения в нелегированном активном слое InxGa1–xN толщиной до 2÷3 нм показана на рис.2.7. Активный слой InGaN имеет меньшую ширину запрещённой зоны, чем наружный слой GaN, поэтому верхний электрод является прозрачным для рекомбинационного излучения в активном слое. + Эмиттером n -типа является монокристаллический слой нитрида галлия (GaN) с шириной запрещённой зоны ΔWGaN = 3,4 эВ. В слой GaN введены примесные атомы Si