157 Оглавление 1. ПРИЁМНИКИ ОПТИЧЕСКИХ СИГНАЛОВ 4 1.1.1. Собственные полупроводники 4 1.1.2. Фоторезистивный эффект 9 1.1.3. Фоторезисторы 12 1.1.4. Примесные полупроводники, p–n-переход 15 1.1.5. Фотодиоды, фототранзисторы 26 1.2. Фоточувствительные полупроводниковые приборы с зарядовой связью 34 1.2.1. Структура и принцип действия приборов с зарядовой связью 34 1.2.2. Фоточувствительные линейные ПЗС 40 1.2.3. Фоточувствительные ПЗС-матрицы 43 1.2.4. Основные характеристики ФПЗС 48 1.3. Приёмники теплового излучения 51 1.3.1. Термоэлектрические приёмники излучения 52 1.3.2. Фотоэлектрические приёмники теплового излучения 53 1.3.3. Болометрические приёмники теплового излучения 54 1.3.4. Пироэлектрические приёмники теплового излучения 62 1.3.5. Тепловизоры 70 2. СВЕТОИЗЛУЧАЮЩИЕ ПРИБОРЫ 72 2.1. Светоизлучающие диоды 72 2.1.1. Рекомбинация неравновесных носителей заряда в полупроводниках 73 2.1.2. Прямозонные и непрямозонные полупроводники 75 2.1.3. Полупроводниковые материалы светоизлучающих диодов 78 2.1.4. Светодиод на основе гетероперехода 79 2.1.5. Инжекционный светодиод на основе многослойных гетероструктур 82 2.1.6. Основные характеристики и применение светодиодов 85 2.1.7. Оптопары 90 2.2. Полупроводниковый лазер и суперлюминесцентный диод 94 2.2.1. Инжекционный полупроводниковый лазер 94 2.2.2. Физические принципы работы инжекционного лазера 95 2.2.3. Инжекционный лазер на основе многослойных гетероструктур 99 2.2.4. Основные характеристики лазерного излучения 102 2.2.5. Суперлюминесцентный диод 104 3. ГЕНЕРАЦИЯ И УСИЛЕНИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ В ВОЛОКОННООПТИЧЕСКИХ СИСТЕМАХ 110 3.1 Оптоволоконные усилители 110